我們平常所說的內(nèi)存最核心的技術(shù)在于內(nèi)存顆粒（DRAM），國產(chǎn)內(nèi)存顆粒和國際上最直接的差距：目前DDR4內(nèi)存已經(jīng)成為絕對主流的今天，國產(chǎn)內(nèi)存目前最先進(jìn)的還僅僅是DDR3。不要看前段時(shí)間曝出的國產(chǎn)DDR4內(nèi)存新聞，那張照片很明顯就是一個(gè)DDR3內(nèi)存，國內(nèi)目前還沒有量產(chǎn)DDR4內(nèi)存的能力，紫光也對此進(jìn)行了證實(shí)，研發(fā)進(jìn)度究竟到了什么程度也很難說，希望能像紫光說的那樣在2018年開始推向市場。

前段時(shí)間曝出的國產(chǎn)“DDR4”內(nèi)存

內(nèi)存顆粒雖說有些方面可能不像CPU那樣研發(fā)門檻這么高，但是仍然是對技術(shù)要求很高的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)不僅要有優(yōu)秀的電路設(shè)計(jì)能力，長期的經(jīng)驗(yàn)積累也很重要，能生產(chǎn)內(nèi)存顆粒的廠商全球就剩那么幾家了，三星又是其中的領(lǐng)頭羊，沒有幾把刷子是做不到現(xiàn)在的程度的：

一、三星的內(nèi)存生產(chǎn)工藝已經(jīng)達(dá)到了10nm級，速度比上代快10%，功耗也會降低15%，同時(shí)更先進(jìn)的工藝也會保證更小的芯片面積、更大的產(chǎn)量和更低的成本。然而國內(nèi)目前的內(nèi)存工藝還是在28nm，差距甚大，生產(chǎn)工藝技術(shù)至少有2年的代差。

二、三星具備豐富的內(nèi)存顆粒設(shè)計(jì)制造經(jīng)驗(yàn)，早在1983年就已經(jīng)開始籌備內(nèi)存顆粒的研發(fā)，90年代又開始建設(shè)自己的晶圓廠來生產(chǎn)內(nèi)存顆粒，從而建設(shè)起來堅(jiān)固而穩(wěn)定的內(nèi)存生產(chǎn)線。

三、三星內(nèi)存技術(shù)的進(jìn)步和強(qiáng)大也離不開韓國政府傾國力的支持和具備魄力的三星領(lǐng)導(dǎo)班子，更有企業(yè)當(dāng)初從上而下的凝聚力和勇氣。

四、三星的一大優(yōu)勢就是強(qiáng)大的全產(chǎn)業(yè)鏈整合能力，其不僅有內(nèi)存芯片，還有液晶面板，電視電腦、手機(jī)產(chǎn)品、SOC等等。這樣垂直式的產(chǎn)業(yè)鏈能讓三星以最快速度反映市場的需求，抗風(fēng)險(xiǎn)能力很強(qiáng)，也更容易達(dá)成內(nèi)存等產(chǎn)品與終端產(chǎn)品的協(xié)調(diào)整合。

目前全球整個(gè)內(nèi)存市場的價(jià)格和供給量大部分都掌握在三星的手里，加上海力士和美光這就是90%的市場占有率，借助2017年開始的內(nèi)存價(jià)格大漲，三星也是賺了個(gè)盆滿缽滿，利潤率大增。

如今越來越多的產(chǎn)品需要大容量的內(nèi)存顆粒作支撐，國內(nèi)龐大的手機(jī)、平板、電視等設(shè)備需求量很大，三星所操縱的內(nèi)存市場給國內(nèi)設(shè)備廠商造成了很大的成本壓力，然而最終還會轉(zhuǎn)嫁到消費(fèi)者身上。所以說國產(chǎn)內(nèi)存目前的形勢非常緊迫，必須盡早推出自己的DDR4內(nèi)存，并在一定程度上打破壟斷。

西安紫光的官網(wǎng)，內(nèi)存芯片產(chǎn)品列表里最高就是DDR3

就目前來看，西安紫光的DDR3內(nèi)存產(chǎn)量就比較捉襟見肘，即使樂觀說今年能推出DDR4內(nèi)存，恐怕也是在一些商用領(lǐng)域試水，不會大規(guī)模量產(chǎn)，另外紫光近兩年的重點(diǎn)恐怕還是會放在武漢長江存儲那邊的3D NAND閃存上，預(yù)計(jì)國產(chǎn)NAND閃存2018第四季度就能量產(chǎn)，這也將非常值得期待，至于國產(chǎn)DDR4內(nèi)存顆粒，因?yàn)楸旧砘�礎(chǔ)差，底子薄，先不說能不能打破三星壟斷，恐怕走進(jìn)我們普通消費(fèi)者還是需要相當(dāng)長的時(shí)間。

B站有個(gè)視頻測評同平臺橫向?qū)Ρ攘俗瞎夂腿�星還有金士頓的D3-1600普條，至少超頻能力上面紫光普條干掉了另外兩個(gè)條子。出了沒多久所以穩(wěn)定性方面還要經(jīng)過時(shí)間考驗(yàn)。這兒三星水軍勢力強(qiáng)大，但是事實(shí)就是國產(chǎn)不像他們貶低的那么差，D3出了D4不會太遠(yuǎn)了，三星的好日子快到頭了，這是不可逆的。韓國充其量是我們經(jīng)濟(jì)發(fā)達(dá)省份一省的實(shí)力，就算是他們的國家支柱三星，也沒有可能長久的和中國的國家資本比拼并且永遠(yuǎn)占有優(yōu)勢，何況它的技術(shù)不過都是美日給的，而不像美日對中國從技術(shù)到設(shè)備處處設(shè)卡，但是只要一個(gè)瓶頸被突破了，實(shí)現(xiàn)了從無到有的轉(zhuǎn)變，沒有任何一項(xiàng)技術(shù)中國不能對韓國實(shí)現(xiàn)反超的。

一個(gè)已經(jīng)上市了，賣得非�；稹Ｒ粋�(gè)還沒有上市，在網(wǎng)上非�；稹６�且還沒有出現(xiàn)國產(chǎn)內(nèi)存已經(jīng)把三星秒的連渣都不剩了。如果要是出現(xiàn)了，那還得了。以后如果出來的話，希望那些奸商放過我們這些消費(fèi)者，我看了一下，同一款內(nèi)存的話，在國外價(jià)格是國內(nèi)的一半還不到。三星供給給所有國家的內(nèi)存價(jià)格都差不多，經(jīng)過國內(nèi)廠商這么一加價(jià)，翻了幾倍有余。

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內(nèi)存的生產(chǎn)廠家主要有三星、美光、SK海力士，其中三星在全球份額最大。

• 雖然三星的手機(jī)業(yè)務(wù)在中國已經(jīng)涼涼，憑借著內(nèi)存的一波漲價(jià)，損失徹底彌補(bǔ)；
  

• 手機(jī)還有華為可以一戰(zhàn)，內(nèi)存就只有看紫光國徽的了。
  

那么，國產(chǎn)內(nèi)存和三星究竟有多大差距呢？

國產(chǎn)內(nèi)存現(xiàn)狀

雖然紫光在2018年初就已經(jīng)開始研制，但是近期才傳出新的消息。

“公司DDR4存儲器芯片的開發(fā)工作已經(jīng)基本完成，正在進(jìn)行后續(xù)改進(jìn)、完善及市場推廣工作。下游制造代工的情況目前沒有明顯改善，產(chǎn)能仍然很難保證�！�

• 官網(wǎng)查看了一下，主要的產(chǎn)品還是DDR3；
  

• 至于具體的性能，這里就不進(jìn)行測試了，DDR4將會吊打DDR3。
  

三星內(nèi)存現(xiàn)狀

1983年三星就已經(jīng)開始了內(nèi)存制造，具有豐富的內(nèi)存顆粒制造經(jīng)驗(yàn)。

• 三星的內(nèi)存生產(chǎn)工藝已經(jīng)達(dá)到了10nm級，速度更快，功耗更低；
  

• 就連國內(nèi)手機(jī)巨頭，華為的存儲芯片都要依靠三星來進(jìn)行供給；
  

• 并且三星具備完整的產(chǎn)業(yè)鏈條，具有內(nèi)存定價(jià)的話語權(quán)。
  

不得不說，國產(chǎn)芯和三星等國際巨頭差距較大，仍需努力。

大家覺得國芯是否能夠?qū)崿F(xiàn)趕超三星？

歡迎大家留言討論，喜歡的點(diǎn)點(diǎn)關(guān)注。

我就這樣說吧，比三星稍微低一檔的海力士內(nèi)存，所有良品全送回韓國，在加工中工藝問題導(dǎo)致的1等不良是賣給金士頓的，其余賣不掉的還會有國產(chǎn)廠家來收，畢竟中國的硅片生產(chǎn)可是比韓國落后10年。

我說的可能不一定準(zhǔn)，因?yàn)槲抑荒苊枋瞿壳昂椭�前的狀態(tài)，至于以后的狀態(tài)，還需要繼續(xù)觀望。國產(chǎn)內(nèi)存和三星內(nèi)存最大的差別就是：一個(gè)你可以立刻的市場上買到，另外一個(gè)不知道什么時(shí)候才能買到。

國產(chǎn)內(nèi)存與三星的差距，好比只參加過校內(nèi)運(yùn)動的中學(xué)生與正值巔峰的運(yùn)動員共同參加比賽，現(xiàn)在被人輕松碾壓都是正常的，但是差距未來有可能縮小，最終平級甚至被國產(chǎn)反超。

三星日前發(fā)布了2018年Q1季度財(cái)報(bào)，營收599.6億美元，同比增長20%，但是凈利潤108億美元，同比大漲52%，其中的主要功臣就是半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，芯片業(yè)務(wù)占到利潤總額的75%，內(nèi)存、閃存功不可沒。

根據(jù)市場統(tǒng)計(jì)，三星在全球DRAM內(nèi)存市場上的占有率達(dá)到了45.8%，第二名的SK Hynix為28.7%，美光為21%，三星一家就占了全球?qū)⒔�一半的DRAM內(nèi)存芯片市場，去年全球存儲芯片產(chǎn)值1320億美元，內(nèi)存芯片大約占740億美元，三星的比重可見一斑。

三星在內(nèi)存產(chǎn)業(yè)上的強(qiáng)勢有多方原因，韓國國家支持、三星起步較早等原因之外，單看產(chǎn)能、技術(shù)等方面我們也要知悉中國與三星的差距有多大。首先來說產(chǎn)能，三星2017下半年的存儲芯片晶圓產(chǎn)能就達(dá)到了每月39萬片，去年還在韓國平澤市建設(shè)了二期工程（一期工程建成了全球最大的NAND晶圓廠），主要用于12英寸內(nèi)存芯片生產(chǎn)，建成后三星的DRAM內(nèi)存產(chǎn)能將增加20%左右，2018年預(yù)計(jì)月產(chǎn)能可達(dá)50萬片晶圓/月。

至于中國內(nèi)存芯片的產(chǎn)能，別說某一家公司，算上未來的長江存儲、合肥長鑫以及福建晉華，這三家近兩年新建設(shè)的產(chǎn)能合計(jì)不過48萬片晶圓/月，而且長江存儲的30萬片晶圓/月產(chǎn)能還是給3D NAND閃存的，內(nèi)存領(lǐng)域的產(chǎn)能差距可見就有多大了。

再說技術(shù)水平上的，三星全球份額最大，不僅是因?yàn)樗麄內(nèi)�球產(chǎn)能最大，也跟三星的技術(shù)領(lǐng)先有重大關(guān)系，三星在2014年就量產(chǎn)了20nm工藝的DDR3內(nèi)存，2016年又率先量產(chǎn)了18nm工藝的DDR4內(nèi)存芯片，Die核心容量也從之前的4Gb、8Gb一路走向了16Gb，單條128GB容量的內(nèi)存不是夢，每次量產(chǎn)新工藝內(nèi)存至少要比SK Hynix、美光量產(chǎn)時(shí)間領(lǐng)先2年之多。

內(nèi)存芯片工藝路線圖

有回答說三星的內(nèi)存芯片是10nm的，實(shí)際上這是三星宣傳中的一個(gè)小花招，10nm Class并不是特指10nm工藝，而是20nm以內(nèi)的都可以叫做10nm Class級別的，在18nm（1X）工藝之后三星還在研發(fā)1Y、1Z nm內(nèi)存芯片，分別指代14到16nm、12到14nm之間的內(nèi)存芯片，不出意外的話，三星還會繼續(xù)保持技術(shù)的領(lǐng)先。

至于國產(chǎn)內(nèi)存，目前國內(nèi)公司能夠染指的主要是DDR3內(nèi)存，特別是西安紫光國芯，不過紫光這個(gè)也是早前德國英飛凌科技的遺產(chǎn)，這個(gè)部門是紫光公司買來的。官網(wǎng)上能少量提供DDR3內(nèi)存芯片，DDR4說是在今年下半年量產(chǎn)問世。

即便是DDR3，國產(chǎn)內(nèi)存在技術(shù)規(guī)格上也落后許久，這不是說DDR3規(guī)范落后，而是DRAM芯片的差距，從此前測過的紫光DDR3內(nèi)存來看，8GB單條是正反面16顆閃存布局，每個(gè)芯片容量從512Mb，核心容量是4Gb的，制程工藝未知，但是國內(nèi)目前掌握的工藝至少要落后國際先進(jìn)水平三代以上，大概率是30nm以上的工藝，能耗肯定比現(xiàn)有產(chǎn)品要高。

除了紫光國芯，其他公開進(jìn)軍內(nèi)存市場的還有兆易創(chuàng)新，此前他們宣布聯(lián)合合肥產(chǎn)業(yè)控股集團(tuán)斥資180億人民幣研發(fā)內(nèi)存芯片，制程工藝為19nm，預(yù)計(jì)在今年底之前研發(fā)成功，這個(gè)技術(shù)水平已經(jīng)很先進(jìn)了，可惜的是這次的研發(fā)只是實(shí)驗(yàn)性的，即便研發(fā)成功了，芯片良率要求也不過是10%，根本沒可能量產(chǎn)上市，不然成本貴的要死了。

總之，在內(nèi)存領(lǐng)域中國公司與三星的差距是天翻地覆的，大概是10分考生與99分學(xué)霸的對比，不過中國現(xiàn)在也在大力發(fā)展存儲芯片產(chǎn)業(yè)，投資強(qiáng)度大，產(chǎn)能增長的很快，各地都在新建晶圓廠，數(shù)年內(nèi)產(chǎn)能追上三星并不意外，技術(shù)、人才上的差距則需要時(shí)間來不斷試錯、不斷提升。

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差距是非常非常大的，靠一些情懷跟YY式的吹捧，應(yīng)當(dāng)是沒法跟三星抗?fàn)�。目前國�?nèi)只能生產(chǎn)DDR3內(nèi)存，但還沒有達(dá)到大規(guī)模上市的程度，至于DDR4內(nèi)存，國內(nèi)還沒有任何一家企業(yè)能夠制造出來。而且DDR3內(nèi)存價(jià)格也不會是白菜價(jià)，這個(gè)放心，有些人還真的很天真，以為國產(chǎn)內(nèi)存一上市，就能打得三星、海力士和鎂光全都丟盔卸甲，哭著喊著要降價(jià)。別做夢了，有時(shí)間不如多看看抗日神劇，更有助于YY。

現(xiàn)在網(wǎng)上有兩種風(fēng)氣，一種就是盲目的自大，以軍事自媒體為主，什么標(biāo)題都是嚇哭美日了，震驚全世界。還有一種是跪舔，一個(gè)勁的自黑，吹捧美日有多強(qiáng)，有多牛，有多好。這二種心態(tài)，都是不正常的，都是不值得推廣的。

作為消費(fèi)者，要理性看待這些問題，雖然現(xiàn)在國產(chǎn)內(nèi)存和三星差距比較大。但不用擔(dān)心，畢竟我們正在慢慢追趕。雖然現(xiàn)在與三星的差距很大，但是只要努力追趕，差距總會慢慢縮小的。也許多年以后，我們國產(chǎn)的內(nèi)存就能超越三星了。

三星已經(jīng)將10nm的技術(shù)應(yīng)用于DRAM之中，國內(nèi)目前還處在28nm的階段，正在努力向19nm工藝DRAM內(nèi)存努力。

三星的已經(jīng)開始規(guī)劃建議三代10nm DRAM生產(chǎn)線和第六代NAND閃存工廠。國內(nèi)目前真正能有成品上市的只有紫光的DDR3內(nèi)存，但量很少。

至于市場用有率，研究實(shí)力這些，就不多說了。

但我對國產(chǎn)內(nèi)存有信心，就像多年以前，液晶顯示屏，基本上都是國外企業(yè)壟斷，但現(xiàn)在很多產(chǎn)品上使用的屏幕，都是國產(chǎn)的。

祝各位讀者生活愉快，有什么問題評論或者私信聯(lián)系我，喜歡我的回答請關(guān)注我，謝謝！

全部為手打，難免有錯別字，語句不通順的地方，不足之處，請留言，我會及時(shí)修正。

中國對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的巨大投入，2018將全面結(jié)出碩果。不僅是電腦內(nèi)存；而是商用、個(gè)人電腦、智能手機(jī)、全系數(shù)字化產(chǎn)品半導(dǎo)體晶圓、量子級解決方案�；�2000億美金進(jìn)口半導(dǎo)體的年代將一去不復(fù)返了。半導(dǎo)體晶圓世界第一出口大國 MADE IN CHINA。

從技術(shù)上講目前國產(chǎn)內(nèi)存和三星還有不小的差距，但好消息是，國產(chǎn)內(nèi)存行業(yè)正在崛起。

首先我們要了解三星的實(shí)力也不是一天建成的，早在上世紀(jì)90年代三星就開始建設(shè)晶圓廠生產(chǎn)內(nèi)存顆粒；經(jīng)過了幾十年的努力，三星占據(jù)了DRAM市場的半壁江山，加上SK海力士市場占有率達(dá)到70%，如果再算上鎂光的話這三家的市場占有率達(dá)到了95%。在這樣一個(gè)高度壟斷的市場里，中國企業(yè)進(jìn)入的難度是巨大的。

目前中國存儲行業(yè)主要有三大陣營：長江存儲、福建晉華和合肥長鑫。長江存儲主攻NAND Flash；福建晉華專注于利基型DRAM的開發(fā)；而合肥長鑫主攻移動DRAM。其中，移動DRAM是市場份額最大，技術(shù)難度最高以及競爭最激烈的領(lǐng)域，目前DDR4內(nèi)存芯片已經(jīng)成了絕對主流。

為了方便比較，我們以主攻移動DRAM的合肥長鑫為例。按照最新的時(shí)間表，合肥長鑫將在2018年底生產(chǎn)8Gb DDR4工程樣品，2019年底產(chǎn)能達(dá)到2萬片/月，2021年完成17納米技術(shù)研發(fā)。

對比三星的DRAM技術(shù)路線圖，目前三星已經(jīng)在研發(fā)18納米以下的工藝，到2020年將會達(dá)到10納米并全面進(jìn)入DDR6時(shí)代。

從這個(gè)簡單的對比不難看出，目前國產(chǎn)內(nèi)存無論是在技術(shù)還是在量產(chǎn)能力上都和三星有著不小的差距，畢竟我們是從前幾年才開始全面布局存儲芯片產(chǎn)業(yè)的。

但是從存儲器產(chǎn)品中的DRAM產(chǎn)業(yè)來看，中國在發(fā)展策略上并非雜亂無章。以技術(shù)布局的角度觀察，中國DRAM領(lǐng)域中除了繪圖用內(nèi)存未有廠商布局，其他都有廠商按照計(jì)劃發(fā)展中。以目前現(xiàn)況來看，中國發(fā)展存儲器的策略能否成功，未來的3~5年將是極其重要的關(guān)鍵期。