是否可以向研發(fā)導(dǎo)彈一樣研發(fā)手芯片生產(chǎn)光刻機?上個世紀(jì),我國在蘇聯(lián)專家撤走,物資極度匱乏的情況下都研發(fā)出原子彈導(dǎo)彈。如今,經(jīng)濟和科技高速發(fā)展,可芯片的生
當(dāng)然可以的。
不過研制出來的光刻機肯定不是世界上最先進的水平。
雖然中國的核武器、導(dǎo)彈、衛(wèi)星在世界上名列前茅,但是技術(shù)上距離美俄法還有差距。就像蘇聯(lián)的米格-25,性能上可以與美國的SR-71媲美,但是技術(shù)水平有差距。
結(jié)果就是外國小于10納米的導(dǎo)線寬度,中國可能是幾十、一百納米的導(dǎo)線寬度。這樣芯片的集成度就大幅度降低。別人一個芯片解決的問題,中國要幾個芯片才能解決。
對電冰箱、洗衣機、電飯煲沒有什么影響,但是對手機來說影響就大了。芯片多了,耗電量就大,手機就會很厚,電池要很大。
蘇聯(lián)的飛機導(dǎo)彈比美國的大,原因之一就是機械設(shè)備、電子設(shè)備比美國的大、重。
蘇聯(lián)的核動力導(dǎo)彈巡洋艦排水量2萬多噸,美國的一萬噸。蘇聯(lián)的圖-160轟炸機比美國的B-1大,蘇-27比美國的F-15大。中國的殲-20比美國的F-22大。
不可以,但是可以借鑒
有相同性,獨立自主,走自己的路;又有不同性,芯片和光刻機不是從頭做,其中含有許多專利技術(shù),使用許多特別材料,這此材料也使用了許多專利技術(shù),沒授權(quán)使用這些技術(shù)也是違法的,所以中國從頭搞一套難度很大,同時從現(xiàn)在7納米,到22年3納米制成,進步又很快,跟上世界的步伐是困難和需要多年攻關(guān)和積累。
技術(shù)各不相同,所以不能將研發(fā)導(dǎo)彈的思路用在延發(fā)手機芯片和生產(chǎn)高端光刻機機上面。
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