說(shuō)實(shí)話，中芯國(guó)際和臺(tái)積電很多方面都有差距！這個(gè)需要中芯國(guó)際加強(qiáng)研發(fā)，加快發(fā)展，這樣中芯國(guó)際就有可能逐漸追上臺(tái)積電。

1、從制造工藝技術(shù)上來(lái)說(shuō)

現(xiàn)在中芯國(guó)際制造工藝技術(shù)，排在全球大概第四名的位置。前面三家是臺(tái)積電，三星，英特爾。

從這幾家公司制造工藝領(lǐng)先程度來(lái)看，中芯國(guó)際現(xiàn)在14納米技術(shù)已經(jīng)量產(chǎn)，可能12納米工藝技術(shù)正在導(dǎo)入，這樣的工藝技術(shù)水平也是能夠排在比較先進(jìn)的水平的。

但是現(xiàn)在臺(tái)積電已經(jīng)能夠?qū)崿F(xiàn)10納米，7納米，5納米生產(chǎn)工藝的量產(chǎn)，三星也實(shí)現(xiàn)了5納米生產(chǎn)工藝的量產(chǎn)，英特爾公司也能夠?qū)崿F(xiàn)。

中芯國(guó)際現(xiàn)在是12納米工藝量產(chǎn)階段，而臺(tái)積電已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了5納米工藝的量產(chǎn)，這個(gè)可能就是制造工藝技術(shù)的差距所在了。

這樣的技術(shù)差距，可能需要幾年的時(shí)間才能夠慢慢縮小。

從營(yíng)業(yè)收入來(lái)看

如果從全球芯片代工廠營(yíng)業(yè)收入排名來(lái)看，這個(gè)差距也是很大的。臺(tái)積電2019年，營(yíng)業(yè)收入占有率達(dá)到了49.2%，三星占據(jù)了代工市場(chǎng)18%的份額，而中芯國(guó)際只占了5.1%的市場(chǎng)份額。這樣的市場(chǎng)份額跟臺(tái)積電相比，差距達(dá)到了將近9倍多。

因此，從2019年全球營(yíng)業(yè)收入來(lái)看，中芯國(guó)際與臺(tái)積電相差還是比較大的。

生產(chǎn)能力

從生產(chǎn)能力方面來(lái)看，臺(tái)積電比中芯國(guó)際生產(chǎn)能力大的多。中芯國(guó)際現(xiàn)在擁有3座8寸晶圓廠，4座12吋晶圓廠。其中，8吋產(chǎn)能共計(jì)23.3萬(wàn)片/月，12吋產(chǎn)能10.8萬(wàn)片/月�？偖a(chǎn)能47.6萬(wàn)片/月（折合8吋）。

臺(tái)積電擁有8吋產(chǎn)能56.2萬(wàn)片/月，接近是中芯國(guó)際的兩倍半。12吋產(chǎn)能74.5萬(wàn)片 /月，是中芯國(guó)際的7倍。

也就是說(shuō)，臺(tái)積電擁有的生產(chǎn)線數(shù)倍于中芯國(guó)際，這個(gè)也是需要中芯國(guó)際逐漸要追趕的。

盈利能力

在盈利能力上面，臺(tái)積電比中芯國(guó)際高的更多。臺(tái)積電2019年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收357億美元，凈利潤(rùn)115億美元，凈利率32%，ROE為21%，毛利率長(zhǎng)期維持在47-50%之間，經(jīng)營(yíng)性凈現(xiàn)金流205億美元，是全球市值最大的半導(dǎo)體公司。

而2019年中芯國(guó)際收入為31.16億美元，凈利潤(rùn)2.35億美元，毛利率20.6%。

可以看出來(lái)，中芯國(guó)際跟臺(tái)積電相比，營(yíng)收差距在10倍，而凈利潤(rùn)差距達(dá)到了50倍的樣子。

結(jié)論

綜上所述，中芯國(guó)際和臺(tái)積電很多方面都有差距！這個(gè)需要中芯國(guó)際加強(qiáng)研發(fā)，加快發(fā)展，這樣中芯國(guó)際就有可能逐漸追上臺(tái)積電。

不吹不黑，中芯國(guó)際在中端芯片制造技術(shù)上可以與臺(tái)積電拼一下，但是上升到高端芯片制造上就不行了�，F(xiàn)在臺(tái)積電穩(wěn)步量產(chǎn)5納米制程工藝的芯片，預(yù)計(jì)在2021年下半年量產(chǎn)3納米制程工藝定位芯片。而中芯國(guó)際的目前正在量產(chǎn)14納米制程工藝的芯片，接近于7納米制程工藝的N+1和N+2也將于2020年年底試生產(chǎn)。

與三星，英特爾，中芯國(guó)際不同的是，臺(tái)積電直接跳過了14納米制程工藝，16納米制程工藝之后就是10納米級(jí)別的�；�本上臺(tái)積電的16納米制程工藝與三星的14納米制程工藝都是在2015年出現(xiàn)的，而中芯國(guó)際是在2019年底開始量產(chǎn)14納米制程工藝芯片的，可見兩者之間差了4年左右。也就是說(shuō)，中芯國(guó)際目前的實(shí)力相當(dāng)于臺(tái)積電2015年的實(shí)力。但是呢，臺(tái)積電的3納米制程工藝也將于今年試生產(chǎn)，一切順利的話，將在2021年正式量產(chǎn)，而中芯國(guó)際的N+1和N+2工藝也將在2021年量產(chǎn)。也就是說(shuō)，中芯國(guó)際的14納米制程工藝與臺(tái)積電差了4年，7納米制程工藝差了3年。這么來(lái)看的話，中芯國(guó)際的制程工藝與臺(tái)積電的差距是逐漸縮小的。

在7納米以及之前的制程工藝不用EUV光刻機(jī)也行，這些差距還是很容易被趕上來(lái)的。但是到了7納米制程工藝以下，5納米，3納米就離不開EUV光刻機(jī)了。不是說(shuō)，用DUV光刻機(jī)制造不出來(lái)，主要是因?yàn)橹圃斐鰜?lái)的過程太慢了，耗費(fèi)資金太多了，根本上就劃不來(lái)。所以說(shuō)，工藝越往下探，就對(duì)硬件設(shè)備的要求越高，EUV光刻機(jī)還是無(wú)法被取代啊。

如果說(shuō)，中芯國(guó)際無(wú)法得到ASML的EUV光刻機(jī)或者國(guó)內(nèi)制造不出來(lái)EUV光刻機(jī)，那么與臺(tái)積電的技術(shù)水平又將被再次拉大。所以說(shuō)，這里面的關(guān)鍵主要就是EUV光刻機(jī)了，只要中芯國(guó)際可以得到以上任意一個(gè)光刻機(jī)，那么其技術(shù)實(shí)力就不會(huì)被拉大了，而是會(huì)逐漸的縮小。

當(dāng)然了，芯片制程工藝的發(fā)展離不開設(shè)備的支持，但是與人的關(guān)系也不小。同樣使用DUV光刻機(jī)的臺(tái)積電就可以量產(chǎn)7納米制程工藝，而三星就做不到，這就要剔除設(shè)備的因素了。關(guān)鍵因素還是技術(shù)研發(fā)人員，可以說(shuō)LMS到了三星之后，把三星的制程工藝提上去了，到了中芯國(guó)際后，短時(shí)間又把中芯國(guó)際的制程工藝提上去了。從此也可以看出，在芯片制造上，設(shè)備很重要，人材同樣很重要。

現(xiàn)在中芯國(guó)際缺的不是人材，而是缺乏設(shè)備。想要追上臺(tái)積電的步伐，還得有必備的設(shè)備啊啊。現(xiàn)在的中芯國(guó)際與臺(tái)積電還是有不小的差距，就等待國(guó)產(chǎn)EUV光刻機(jī)取得突破了。只要國(guó)產(chǎn)EUV光刻機(jī)被制造出來(lái)，ASML會(huì)立刻向國(guó)內(nèi)出售EUV光刻機(jī)�？偠�言之，中芯國(guó)際與臺(tái)積電還有數(shù)年的差距，還需要繼續(xù)努力的。當(dāng)然了，EUV光刻機(jī)的制造難度很大，即便是ASML也是集世界之大成技術(shù)才制造出來(lái)的。不過，我國(guó)在一窮二白的時(shí)候，可以制造出原子彈，氫彈，洲際導(dǎo)彈，人造衛(wèi)星。那么，在今天，集全國(guó)之力制造出EUV光刻機(jī)也肯定可以的。

而芯片的也不只局限于硅基，還有量子芯片，碳基芯片等新興芯片在研發(fā)之中。在全力研發(fā)EUV光刻機(jī)時(shí)，也要在以上這些芯片領(lǐng)域發(fā)力，爭(zhēng)取在新的芯片上趕上國(guó)際先進(jìn)水平。

感謝閱讀。

最近中芯國(guó)際上市了，作為大陸芯片代工領(lǐng)域的老大，中芯國(guó)際受到了市場(chǎng)的熱捧，其市值高達(dá)5800多億，這樣市值不可謂不高。有道是“同行是冤家”，因此很多網(wǎng)友喜歡拿中芯國(guó)際和臺(tái)積電做對(duì)比，那么中芯國(guó)際和臺(tái)積電之間的差距有多大呢？

光刻機(jī)是關(guān)鍵

早在2018年，中芯國(guó)際就在荷蘭的AMSL采購(gòu)了一臺(tái)EUV光刻機(jī)，因?yàn)槊绹?guó)的阻擾，這個(gè)光刻機(jī)拖到現(xiàn)在還未運(yùn)到大陸，因此中芯國(guó)際還是使用技術(shù)落后兩代的DUV光刻機(jī)。因?yàn)樵O(shè)備上的差距，中芯國(guó)際目前能夠量產(chǎn)的只是14nm的芯片，比如麒麟710A處理器就是中芯國(guó)際代工的，再往上的12nm、14nm就沒有辦法了。

為什么以美國(guó)為首的西方國(guó)家對(duì)禁止出口給中國(guó)最新的光刻機(jī)呢？這要說(shuō)到瓦納森協(xié)定，這個(gè)協(xié)定說(shuō)白了就是技術(shù)保護(hù)的壁壘，至于美國(guó)為什么這樣打壓中國(guó)，這還要說(shuō)到歷史原因了，當(dāng)然了，在這里就不多說(shuō)了。更加可怕的是大陸能生產(chǎn)的光刻機(jī)還只是90nm工藝制程，如果美國(guó)掐斷荷蘭DUV光刻機(jī)和大陸的聯(lián)系，那么中芯國(guó)際可能連14nm的芯片也無(wú)法生產(chǎn)。

反觀臺(tái)積電就不一樣，只要他想采購(gòu)最新的光刻機(jī)，荷蘭AMSL都是有求必應(yīng)。因此臺(tái)積電在2020年已經(jīng)量產(chǎn)5nm制程工藝的芯片。

技術(shù)的積累

同樣是芯片代工廠商，三星、英特爾卻不如臺(tái)積電，但他們?cè)谠O(shè)備也沒有限制，為什么臺(tái)積電能超越三星成為世界上最強(qiáng)的芯片代工廠商呢？要知道三星可是世界巨頭，人們都稱三星為“三星帝國(guó)”。說(shuō)白了，還是臺(tái)積電自身的技術(shù)強(qiáng)大。

在芯片代工領(lǐng)域，臺(tái)積電經(jīng)過了33年的發(fā)展，是世界上首家晶圓代工企業(yè)。而這幾十年也是芯片發(fā)展的黃金時(shí)期，臺(tái)積抓住了機(jī)遇，并且舍得在人才上投入巨大自己，因此臺(tái)積電在芯片上的技術(shù)積累要遠(yuǎn)超其他友商。有道是一步領(lǐng)先、步步領(lǐng)先，臺(tái)積電在芯片代工上的技術(shù)已經(jīng)是業(yè)內(nèi)第一，其他友商完全不是他的對(duì)手。

據(jù)悉，臺(tái)積電將在2021年量產(chǎn)3nm制程工藝的芯片，并在2nm制程工藝的芯片技術(shù)上有所突破。反觀中芯國(guó)際還在7nm制程工藝上苦苦探索。

不管是硬件上的設(shè)備，還是技術(shù)上的積累，中芯國(guó)際和臺(tái)積電之間有著巨大的差距，這個(gè)差距不是一朝一夕能追上的，因此很多網(wǎng)友表示：中芯國(guó)際任重道遠(yuǎn)。對(duì)于中芯國(guó)際，大家覺得未來(lái)他能超越臺(tái)積電嗎？

中芯和臺(tái)機(jī)電的差距還是相當(dāng)大的，并且是明顯的代差。

1、臺(tái)積電研發(fā)2nm制程取得突破

這2天正好有個(gè)體現(xiàn)臺(tái)積電技術(shù)實(shí)力的新聞，也就是在2nm制程上它又取得了新的突破。2019年臺(tái)積電就開始正式研發(fā)2nm制程，經(jīng)過一年的努力他們找到了最先進(jìn)制程的實(shí)現(xiàn)方法，也就是采取環(huán)繞式柵極技術(shù)(gate-all-around，簡(jiǎn)稱GAA)技術(shù)。

此前代工業(yè)界在先進(jìn)制程上一直使用的是 FinFET 技術(shù)，但這個(gè)技術(shù)在達(dá)到3nm制程后已經(jīng)面臨技術(shù)瓶頸，無(wú)法在實(shí)現(xiàn)有效的發(fā)展。

臺(tái)積電另辟蹊徑采用GAA新技術(shù)并獲得突破，業(yè)界以此推斷，臺(tái)積電2nm制程可能在2023~2024年進(jìn)入量產(chǎn)，這意味著臺(tái)積電的代工工藝又將全面領(lǐng)先全球，不僅領(lǐng)先三星一代，對(duì)于中芯更是有2~3代的優(yōu)勢(shì)。

2、中芯發(fā)展迅猛但差距仍明顯

中芯自從染孟松加盟之后，這2年在代工工藝上的確發(fā)展很快，目前已經(jīng)是量產(chǎn)了14nm制程，并且N+1制程也已經(jīng)進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段，年底已經(jīng)能實(shí)現(xiàn)小規(guī)模的量產(chǎn)。但是這并不代表中芯的制程可以追趕上臺(tái)積電。

目前中芯N+1制程按照業(yè)內(nèi)的說(shuō)法是相當(dāng)于7nm低功耗版，只是性能上其實(shí)和臺(tái)積電的7nm制程有差距，真正相當(dāng)于臺(tái)積電的7nm要等中芯的N+2制程，而這個(gè)制程如果按照時(shí)間節(jié)點(diǎn)來(lái)算，基本就的2022年前后才能量產(chǎn)。

那由此可見，中芯和臺(tái)積電之間差了好幾個(gè)制程：現(xiàn)階段中芯量產(chǎn)14nm，年末預(yù)計(jì)量產(chǎn)N+1制程，N+2制程（相當(dāng)于7nm）預(yù)計(jì)2022年；而臺(tái)積電今年已經(jīng)是量產(chǎn)5nm，2022年前后量產(chǎn)3nm制程，2023~2024量產(chǎn)2nm。

3、中芯可能面臨的幾個(gè)困難

未來(lái)幾年中中芯還將面臨著不小的困難，有技術(shù)上的也有現(xiàn)實(shí)困境。

臺(tái)積電第二代7nm制程開始使用EUV光刻技術(shù)，而目前中芯采購(gòu)的EUV光刻機(jī)還未到位，后續(xù)被卡脖子的可能性相當(dāng)大，N+2制程屆時(shí)只能靠多重曝光來(lái)實(shí)現(xiàn)，這里面的效率會(huì)低很多。

前面提到現(xiàn)在代工廠商使用的 FinFET 技術(shù)已經(jīng)出現(xiàn)了瓶頸，到了5nm以下制程就需要更換為更先進(jìn)的GAA技術(shù)來(lái)突破（三星考慮3nm使用這項(xiàng)技術(shù)），這對(duì)中芯來(lái)說(shuō)就又是一大考驗(yàn)，如果在這個(gè)新技術(shù)上卡殼就可能再也追不上臺(tái)積電。

Lscssh科技官觀點(diǎn)：這2年中芯發(fā)展的確挺快，但是和臺(tái)積電的差距我們應(yīng)該有個(gè)清醒的認(rèn)識(shí)，以現(xiàn)有的技術(shù)短期內(nèi)無(wú)法追趕上，這必定是一場(chǎng)持久戰(zhàn)。同時(shí)，未來(lái)中芯要想追上臺(tái)積電需要投入更多的資源，也需要得到我們更多的支持，否則很難追上臺(tái)積電。

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其實(shí)這種問題我認(rèn)為不要提比較好，沒有意義，如果硬要打個(gè)比方就像印度老是拿中國(guó)來(lái)比較，只不過這次是臺(tái)積電是中國(guó)，中芯國(guó)際是印度。

制程工藝上，臺(tái)積電領(lǐng)先

在制程工藝再拿中國(guó)和印度當(dāng)比喻的話，中芯國(guó)際只能生產(chǎn)第三代得光輝戰(zhàn)機(jī)，而臺(tái)積電可以生產(chǎn)第五代戰(zhàn)機(jī)殲20，甚至已經(jīng)在開始研發(fā)第六代戰(zhàn)機(jī)了，下面我們用數(shù)據(jù)來(lái)說(shuō)下。

首先說(shuō)下中芯國(guó)際的目前最先進(jìn)可量產(chǎn)技術(shù)是14nm的工藝，2020年底可量產(chǎn)N+1工藝（介于10nm-8nm），外界推測(cè)中芯國(guó)際2022年能實(shí)現(xiàn)才能實(shí)現(xiàn)7nm工藝的量產(chǎn)，2024年進(jìn)入5nm量產(chǎn)的階段。這是現(xiàn)階段中芯國(guó)際的情況。

那么排名第一的臺(tái)積電又如何呢？目前臺(tái)積電已經(jīng)可以量產(chǎn)7nm和5nm的工藝，根據(jù)臺(tái)積電官方給出的消息，2021年臺(tái)積電可風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)3nm的工藝，2022年可量產(chǎn)3nm工藝。

特別要提一下的是，由于制程下探，都會(huì)產(chǎn)生諸如漏電，電壓不穩(wěn)這種短通道效應(yīng)，而業(yè)界普遍認(rèn)為3nm是現(xiàn)在FinFET工藝的極限，需要下一代工藝來(lái)支撐摩爾定律的延緩，目前業(yè)界看好的是GAA，而臺(tái)積電已經(jīng)宣布會(huì)在找到了GAA的切入口，會(huì)在2nm工藝上采用GAA技術(shù)，而中芯國(guó)際估計(jì)要切入GAA沒那么快。

所以在制程工藝上，從現(xiàn)有得的消息看，臺(tái)積電的工藝領(lǐng)先于中芯國(guó)際兩代。

制造芯片設(shè)備也存在代差

目前臺(tái)積電用的是極紫外光的EUV光刻機(jī)，而中芯國(guó)際還是用深紫外光的DUV光刻機(jī)，目前DUV光刻機(jī)的極限只能制造7nm的芯片，如果想要制程繼續(xù)往下探，必須借助EUV光刻機(jī)。

但是EUV光刻機(jī)中芯國(guó)際不是想買就能買到，中芯國(guó)際為了在先進(jìn)制程有所作為，早在2018年就向荷蘭的AMSL訂購(gòu)樂一臺(tái)EUV光刻機(jī)，但是經(jīng)過多方阻撓，這臺(tái)光刻機(jī)依然沒能從荷蘭運(yùn)回中國(guó)，為什么呢？因?yàn)橛型呒{森協(xié)定，這個(gè)協(xié)定可以理解為一群搞技術(shù)的在商討如何阻擾圈外的人得到他們的技術(shù)，根據(jù)協(xié)定，中國(guó)能得到光刻機(jī)只能是落后兩代的儀器，所以今天看到的是臺(tái)積電用的是EUV光刻機(jī)的最新改進(jìn)型號(hào)，而中芯國(guó)際只能落后的DUV光刻機(jī)。

所以我認(rèn)為在技術(shù)和設(shè)備上，臺(tái)積電有著無(wú)可比擬的優(yōu)勢(shì)，我們不必老是去關(guān)注臺(tái)積電，而且在市場(chǎng)份額上臺(tái)積電占到一半，而中芯國(guó)際也只有5.34%，達(dá)十倍的差距。

結(jié)語(yǔ)：其實(shí)只要中芯國(guó)際能支撐我們國(guó)家發(fā)展需要的芯片，目前先進(jìn)的制程只有手機(jī)芯片才用得到，手機(jī)于國(guó)家發(fā)展的作用并不是很大，目前主要耕耘好14nm和實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)7nm就足以，要知道現(xiàn)在臺(tái)積電賺錢的還是28-14nm，工廠就在中國(guó)南京，而我們考慮的是如何把臺(tái)積電14nm的份額轉(zhuǎn)到中芯國(guó)際才是我們更要考慮的方向。

芯片代工巨頭臺(tái)積電、三星 和 IDM制造商 Intel 組成芯片制造能力的第一陣容。其主要標(biāo)志是，開始量產(chǎn)5nm 制程工藝，7nm EUV成為其成熟工藝，14nm 開始具備成本優(yōu)勢(shì)。而中芯國(guó)際是其余晶圓加工企業(yè)里，唯一沒有放棄追趕先進(jìn)工藝的廠商。

制程工藝技術(shù)差距

臺(tái)積電從2015年的14nm工藝發(fā)展到5nm 工藝的用了5年時(shí)間，如果再資金投入和研發(fā)投入相當(dāng)?shù)那闆r下，EUV光刻工藝也能有保障的情況下，如果理想化一點(diǎn)，考慮到中芯國(guó)際在28到14nm制程上，加快了追趕速度，這意味著理論差距時(shí)間約為 4-5年。

EUV光刻機(jī)的支持

從 7nm 開始，EUV工藝開始取代DUV工藝，例如著名麒麟990和驍龍865都是采用臺(tái)積電7nm EUV制程工藝。

所以ASML獨(dú)家生產(chǎn)的極紫外光刻機(jī)就不可或缺了，所謂 “切菜用好刀”，臺(tái)積電和三星都是選擇在7nm+開始采用EUV技術(shù)，更多層的EUV就對(duì)應(yīng)升級(jí)到下一個(gè)節(jié)點(diǎn) ，7nm+大約是4層EUV，5nm在2020年中已經(jīng)量產(chǎn)，使用約9-10層EUV， 5nm+將在2021年量產(chǎn)，使用約12~15層EUV。

Intel 10nm與臺(tái)積電7nm+特征尺寸水平相當(dāng)，但 Intel 工藝選擇DUV +SAQP多重曝光，未采用EUV，長(zhǎng)期良率無(wú)法突破，導(dǎo)致工藝被臺(tái)積電階段性超越，AMD在臺(tái)積電獲得了先進(jìn)制程的加持，開始贏得CPU市場(chǎng)份額。

所以極紫外光刻機(jī)是7nm+工藝后，繞不開的生產(chǎn)配置。臺(tái)積電擁有EUV設(shè)備最多約30臺(tái)，三星次之，在10-20臺(tái)之間，英特爾的約5臺(tái)將在2021-2022年7nm節(jié)點(diǎn)首次導(dǎo)入EUV時(shí)使用。

產(chǎn)能差距

產(chǎn)能很重要，可以擁有芯片生產(chǎn)的規(guī)模效應(yīng)。

臺(tái)積電產(chǎn)能規(guī)模業(yè)界最大，規(guī)模效應(yīng)顯著！12英寸、8英寸、6英寸晶圓產(chǎn)能估計(jì)分別達(dá)74.5萬(wàn)片/月、56.2萬(wàn)片/月、9.43萬(wàn)片/月，其中12英寸和8英寸產(chǎn)能均為業(yè)界雄踞第一。目前市場(chǎng)占有率49.2%，擁有半數(shù)的半導(dǎo)體代工份額。

中芯國(guó)際建有3 座8吋 吋 晶圓廠， 4 座12吋 吋 晶圓廠。8吋產(chǎn)能共計(jì)23.3萬(wàn)片/月，12吋產(chǎn)能10.8萬(wàn)片/月。總產(chǎn)能47.6萬(wàn)片/月（折合8吋）。公司計(jì)劃進(jìn)一步擴(kuò)充8英寸產(chǎn)能及先進(jìn)制程產(chǎn)能。目前擁有5%的市場(chǎng)份額。

產(chǎn)能差距是巨大的，尤其是中芯國(guó)際的N+2（7nm）工藝，如果真的不能使用EUV光刻機(jī)，將只能嘗試采用SAQP方式，這將面臨生產(chǎn)周期拉長(zhǎng)、良率控制的挑戰(zhàn)，產(chǎn)能自然首當(dāng)其沖受到影響。

結(jié)語(yǔ)

困難再大也要克服，差距漫長(zhǎng)也要追趕，我們沒有退路。好在中芯國(guó)際目前的工藝結(jié)構(gòu)發(fā)展均衡，國(guó)內(nèi)的資金支持決心空前。

但中芯國(guó)際目前非常依賴設(shè)備及原材料的進(jìn)口，短時(shí)間內(nèi)，也無(wú)法形成替代，所以有很大的潛在風(fēng)險(xiǎn)。

謝謝您的問題。

起步就不一樣。在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的低潮期，張汝京創(chuàng)建中芯國(guó)際，對(duì)于我國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)非常重要，目前已是國(guó)內(nèi)第四大芯片代加工企業(yè)。不過，也應(yīng)該看到，中芯國(guó)際的技術(shù)底蘊(yùn)就是來(lái)自于臺(tái)積電，生產(chǎn)工藝是相同的，其創(chuàng)始人張汝京也是從臺(tái)積電出來(lái)的，兩者的差距在起跑線上就決定了。

臺(tái)積電的壓制。由于技術(shù)和運(yùn)營(yíng)體系的相似性，從2004年以來(lái)，中芯國(guó)際作為被告，就一直陷于來(lái)自于臺(tái)積電的專利訴訟苦斗中，比如2009年，美國(guó)加州聯(lián)邦地方法院宣判中芯國(guó)際敗訴，認(rèn)為其非法使用的臺(tái)積電61個(gè)專利，需要賠償10億美元，最后的妥協(xié)是，中芯國(guó)際向臺(tái)積電出讓股權(quán)，張汝京也離開中芯國(guó)際。由于擔(dān)心臺(tái)積電的訴訟，中芯國(guó)際在之后的很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)，芯片制造技術(shù)進(jìn)展不大。

自己的定位。張汝京離開后，其繼任者王寧國(guó)對(duì)中芯國(guó)際的定位是，避開臺(tái)積電的鋒芒，臺(tái)積電是最佳選擇，中芯國(guó)際只是備選方案。在這樣的戰(zhàn)略定位下，中芯國(guó)際想冒尖超越臺(tái)積電，是非常不現(xiàn)實(shí)的，也長(zhǎng)期處于臺(tái)積電的陰影下，逐步拉大差距。不過，這些年，中芯國(guó)際扶持國(guó)內(nèi)本土半導(dǎo)體設(shè)備、材料和芯片設(shè)計(jì)發(fā)展，才逐步有起色。中芯國(guó)際雖然在高端芯片方面弱于臺(tái)積電，但是中低端芯片方面已經(jīng)能與臺(tái)積電平起平坐。

歡迎關(guān)注，批評(píng)指正。

感謝您的閱讀！

【中芯國(guó)際和臺(tái)積電到底差距有多大？臺(tái)積電的斷供會(huì)讓中芯國(guó)際替代它嗎】

我們知道現(xiàn)在的臺(tái)積電確實(shí)有很大幾率斷供華為，畢竟從它的角度，美國(guó)的一些政策確實(shí)在不斷的影響著它的決定。臺(tái)積電最近也表現(xiàn)的非常的活躍，臺(tái)積電董事長(zhǎng)在業(yè)績(jī)說(shuō)明會(huì)上表示，受美國(guó)政府的影響，臺(tái)積電自5月15日起就未再接受過任何來(lái)自華為的訂單，公司將在9月14日之后停止對(duì)華為的供貨。

我們確實(shí)能夠知道，如果華為一旦被臺(tái)積電斷供，將會(huì)影響幾個(gè)重點(diǎn)部分：

1.華為的高端處理器可能會(huì)一去不復(fù)返，影響華為5nm，7nm工藝的布局

2.華為在芯片方面的布局會(huì)頗受影響，甚至于會(huì)影響華為在未來(lái)幾年國(guó)際市場(chǎng)的地位

3.華為手機(jī)在國(guó)際市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)中，可能會(huì)落入到下風(fēng)，畢竟沒有更為先進(jìn)的技術(shù)的支撐，華為想要發(fā)展確實(shí)不易。

臺(tái)積電的斷供也間接的反應(yīng)了，中芯國(guó)際和臺(tái)積電的差距之大。我們也知道的起，臺(tái)積電的5nm工藝和目前中芯國(guó)際的量產(chǎn)的14nm工藝之間有多大的差異呢？我們可以從中知道差別。

其實(shí)，一方面雖然中芯國(guó)際和臺(tái)積電有一些聯(lián)系，畢竟從創(chuàng)始人角度，兩者本身就有交集。另一方面，臺(tái)積電畢竟在技術(shù)，專利等等角度，表現(xiàn)的更佳。

但是，華為被臺(tái)積電斷供這其實(shí)是中芯國(guó)際的契機(jī)，這就像給了它發(fā)展，加了馬力，如果能夠運(yùn)用好這次時(shí)機(jī)，沒準(zhǔn)對(duì)于臺(tái)積電來(lái)說(shuō)，可能是一次不小的打擊，對(duì)于中芯來(lái)說(shuō)，是一次絕好的成功呢！拭目以待更為重要。

這樣說(shuō)吧，兩者實(shí)力完全不在一個(gè)檔次上。

首先芯片的格局上，臺(tái)積電是世界最強(qiáng)，全世界一半以上的高端芯片都是它生產(chǎn)的，剩下35%由其他三巨頭瓜分，而中芯國(guó)際目前不到5%。
然后，在高端芯片上，臺(tái)積電今年下半年已經(jīng)開始量產(chǎn)5nm的芯片。而中芯剛剛開始量產(chǎn)14nm的芯片，下一步是7nm，再下一步是5nm，然后是3nm。

最后從營(yíng)收方面看。公開報(bào)道，中芯去年全年31.16億美元，臺(tái)積電今年Q2高達(dá)41億美元。中芯一年?duì)I收不及人家單季度。凈利潤(rùn)方面，中芯毛利率7.9%，臺(tái)積電Q2毛利率53%。營(yíng)收來(lái)源方面，中芯主要收入來(lái)源90nm，臺(tái)積電主要來(lái)源28nm，中間至少隔兩代。

所以，說(shuō)中芯國(guó)際目前雖然已經(jīng)是全球第五大芯片代工企業(yè)，但要追趕臺(tái)積電還有很長(zhǎng)的路要走。

中芯國(guó)際掌門人梁孟松就是原來(lái)臺(tái)積電的技術(shù)研發(fā)的掌門之一，但從老家公司的芯片研發(fā)工藝水平，某種程度上并不是相差很多年，目前梁的到來(lái)，已經(jīng)讓中芯國(guó)際的良品率從個(gè)位數(shù)，達(dá)到了近95%，這是非常厲害的突破，目前中芯國(guó)際的七寸，被以美國(guó)人和臺(tái)積電控股的荷蘭阿斯麥所制約，不給你制造頂級(jí)芯片的光刻機(jī)，也就是禁運(yùn)，所以就以現(xiàn)在兩家的差距，中芯國(guó)際最多只能生產(chǎn)12nm，而臺(tái)積電7nm，并且正在向5nm過渡，中芯國(guó)際要趕上臺(tái)積電，除了繼續(xù)研發(fā)制作工藝，關(guān)鍵光刻機(jī)怎么獲得，或者說(shuō)研發(fā)的另一種生產(chǎn)制備方法在技術(shù)上的突破，中芯國(guó)際的上市，增加了自身的競(jìng)爭(zhēng)能力，或?qū)θ�球技術(shù)人才的吸引增加了，我們只能期待壓制他的外部環(huán)境變好，同時(shí)自身技術(shù)再次突破，來(lái)趕上這種生產(chǎn)技術(shù)差距，三年，五年？