顯然題主對于芯片制造的設備根本搞不清，不明白什么是光刻機，也不明白中芯國際到底是做什么的，這里我給題主大致的講解下吧！

1、中芯是代工廠制程可能到了7nm

首先得明白一點中芯國際它自身并不生產光刻機，從業(yè)務上來說中芯只是代工廠，它的主營業(yè)務其實和臺積電一樣，主要就是代工生產各種芯片，比如華為7nm麒麟芯片由臺積電生產，而近期華為又將旗下14nm芯片轉交給了中芯國際生產。

• 14nm已量產：目前中芯國際的生產工藝以及達到了14nm，2019年年底時已經量產，今年的產能會持續(xù)爬坡，2020年底能將達到月約2萬片的產能。同時中芯國際也已經完成了下一代新制程工藝的研發(fā)，也就是N+1的工藝，目前已經進入了客戶導入驗證階段，2021年底應該也能量產。

• N+1制程可達7nm：對于N+1工藝中芯并未明確是多少納米，但按照現(xiàn)有公布的參數(shù)和功耗來算，業(yè)界普遍估計的是7nm工藝。此外，N+2的工藝中芯也已經在研發(fā)了，業(yè)內認為該工藝屬于7nm的高性能版本。

2、中芯生產需要光刻機

但是，在生產芯片的過程中，中芯國際需要光刻機這樣的設備，沒有光刻機是無法生產芯片的。目前臺積電使用ASML的7nm EUV光刻機可以生產7nm芯片，今年下半年應該可以用來量產華為的5nm芯片，后續(xù)甚至可生產3nm、2nm芯片。

中芯國際目前還沒有7nm EUV光刻機，此前從AMSL采購了一臺，但是由于各種原因荷蘭政府沒有發(fā)放出口許可，因此這臺機器至今到未。

但是沒有7nm EUV光刻機暫時并不影響中芯當前的芯片生產，一個是當前量產的14nm工藝芯片暫時還用不上，其次N+1工藝雖然可能是7nm工藝制程，但仍舊可以使用現(xiàn)有的DUV光刻機來生產，只是生產效率會相對低一些。

因為，有7nm EUV光刻機的情況下，7nm工藝的芯片生產只要曝光一次就可以完成，而DUV的光刻機（下圖為ASML的DUV光刻機）同樣生產7nm工藝芯片則需要多次曝光才能實現(xiàn)。不過不管怎么說中芯現(xiàn)有光刻機還是可以生產。

3、我國量產光刻機只支持90nm工藝

目前中芯使用的光刻機都不是我國自主生產的，因為國產光刻機水平較低，現(xiàn)有量產機型最高只支持90nm制程工藝，而且也僅有一家廠商能生產，這就是上海微電子。

• 僅有90nm光刻機：上海微電子雖然只能生產90nm光刻機，但他已經是國內最先進的廠商了，其他一些國產廠商的技術就更加落后了。在全球范圍內，我國的光刻機就是低端水平，中端則有日系廠商（尼康和佳能）占據(jù)，而高端市場就只有荷蘭ASML。

• 65nm光刻機驗證中：當然，上海微電子對于自己的處境還是比較清楚的，因此現(xiàn)階段也在努力提升自己的技術。根據(jù)業(yè)內的消息，上海微電子早在2018年就已經在驗證65nm光刻機，如果按時間來計算的話，預估未來一階段可能會量產此工藝的光刻機。

一旦跨過65nm這道坎，未來應該能較快的升級到45nm，乃至28nm工藝上來，因此未來幾年我國的光刻機水平應該會有較快的進步。但到了28nm之后，再想要快速增長可能就會變得比較困難起來。

Lscssh科技官觀點：

總體而言，我國現(xiàn)有的光刻機水平偏低，僅有90nm的光刻機和領先的ASML不是差距不是一點點，未來很長一個階段需要持續(xù)的資金投入研發(fā)。而中芯國際的整體水平還算較好，已經量產的14nm工藝和和臺積電、三星的差距相對較小一些，僅有2、3代的差距，未來10年如果發(fā)展順利或許能追趕上。

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    中芯國際的高端光刻機來自于荷蘭ASML，可以量產14nm的芯片，預計今年量產7nm制程工藝的芯片，目前ASML最先進的光刻機是EUV極紫外光刻機。

    我國生產光刻機的廠商是上海微電子，可以量產90nm工藝的光刻機，占據(jù)了80%的低端光刻機市場，畢竟大多數(shù)芯片是不需要高端光刻機的。

    中芯國際：14nm和7nm

    中芯國際是我國國內的晶圓代工廠，并不生產光刻機，高端光刻機主要來自于荷蘭的ASML，而是利用光刻機生產芯片，根臺積電差不多。

    目前，中芯國際代工14nm制程工藝的芯片，良品率達到了95%以上。華為旗下的海思半導體已經下單中芯國際的14nm工藝，從臺積電哪里搶下了不少訂單。

    早在2018年，中芯國際就在ASML預定了EUV光刻機，用于生產研發(fā)7nm工藝的芯片。但是，因為很多外界因素，至今沒有收貨，被逼無奈下，中芯國際在現(xiàn)有的基礎上成功研發(fā)了N+1、N+2工藝，也就是7nm工藝。在N+1、N+2代的工藝不會使用EUV工藝，等到EUV設備就緒之后，才會轉向EUV光刻工藝。

    上海微電子：90nm

    我國生產光刻機的廠商是上海微電子，可以穩(wěn)定生產90nm制程工藝的光刻機，與荷蘭ASML最新的7nm EUV光刻機還是有很大差距的，而且這些差距是無法跳過的，只有成功量產65nm、24nm等光刻機，之后才能進行下一代光刻機的研發(fā)。

    其實，上海微電子和荷蘭ASML在光刻機上的差距，反映了我國和西方精密制造領域的差距，一臺頂級的EUV光刻機，關鍵零部件來自于不同的西方發(fā)達國家，美國的光柵、德國的鏡頭、瑞典的軸承等等，最關鍵的是這些頂級零部件對我國是禁運的。

    上海微電子作為一家系統(tǒng)集成商，自己并不生產關鍵的零部件，所以做不出22nm以下的光刻機也不是他的責任。目前，只有做好了中低端，慢慢培養(yǎng)國內零部件廠商，才能一點一點的往上走。

    荷蘭ASML：7nm和5nm

    目前，光刻機的大佬是荷蘭的ASML，占據(jù)了高達80%的市場份額，最先進的EUV光刻機全球只有ASML能夠生產，技術門檻極高，是人類智慧集大成的產物。

    ASML的光刻機，90%的零件均自外來，德國的光學設備和超精密儀器，美國的計量設備和光源設備等，ASML要做的就是精密控制，在7nm的工藝下，將誤差分擔到13個系統(tǒng)，3萬多個分件。

    EUV光刻機的產量很低，而且ASML還有一個奇特的規(guī)定，只有投資了ASML才有優(yōu)先供貨權，而臺積電、英特爾、三星、海力士都在ASML有相當可觀的股份，大半個半導體行業(yè)都是ASML的合作伙伴。

    總之，我國的上海微電子生產的光刻機與荷蘭ASML還有很大的差距，一個90nm，一個7nm EUV光刻機。在晶圓代工領域，中芯國際和臺積電是競爭對手，一個是量產14nm，一個是量產7nm EUV。

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中芯國際光刻機究竟什么層次，有權威、全面解答嗎？光刻機是芯片制造中重要的核心設備之一。中芯國際在晶圓代工廠中排名第五位，但工藝制程與臺積電、三星相比還有不少的差距，其光刻機檔次也不高。

擁有全球頂尖的光刻機及先進工藝制程還屬臺積電、三星，這兩家代工廠目前擁有全球最先進的光刻機，可以量產到7nm工藝制程，并且正在向5nm進軍、研討3nm工藝制程的可行性。而中芯國際由于未能擁有全球先進的ASML高端光刻機，在工藝制造上就顯得要落后不少，去年中芯國際才開始量產14nm工藝制程芯片。

雖然2018年中芯國際就向ASML高價訂購了一臺先進的高端的EUV光刻機，但由于美國的阻撓又祭出了瓦森納協(xié)議，遲遲不能到位。在此情況下中芯國際在現(xiàn)有設備基礎上正在研發(fā)新的工藝技術以達到能夠制造7nm工藝制程芯片。那就是中芯國際所說的N+1、N+2制程。

N+1、N+2可達到7nm工藝制程，但與臺積電的7nm EUV工藝制程又有區(qū)別。臺積電7nm EUV利用先進的EUV高端光刻機，可以一次曝光完成，具有高效而且低功耗特點。而中芯國際的7nm利用多次曝光完成，效率較低，性能有所不如，N+2在N+1基礎上面向的是高性能、但成本會增加。

從目前來看中芯國際與臺積電有2-3代的代際差，其光刻機并非國產的。國產最好的光刻機就是上海微電子SMEE所生產的面向90nm工藝制程的，差距更為明顯。但國內目前已經攻克了較為關鍵的光源問題，比如武漢廣電國家研究中心已經研發(fā)出新的技術，可以達到9nm工藝制程，不過還停留在實驗室階段，離正式生產還有不少的距離。

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我的其他文章中有對光刻機的詳細說明，可以參考。芯片產業(yè)是我國非常薄弱的地方，不僅僅是芯片工程相關的人才缺失，更重要的是設備也稀缺。目前國外主流的芯片已經達到7nm制程工藝，而我國最先進的中芯國際也僅僅能夠量產14nm芯片。而這其中最關鍵的設備就是芯片光刻機。

我國的光刻機目前只達到90nm，與國外的水平相差太遠。ASML的光刻機已經實現(xiàn)了7nm的制程工藝，而且售價高達1億美元，還是全球排隊購買。之前這種高科技設備對我國都是禁止出口，中芯國際排隊好不容易購買到一臺光刻機，卻在2017年發(fā)生“無名”大火，機器還未入境就被燒毀。

光刻機分為前道光刻機，比如 ASML這種，還有后道光刻機，比如上海微電子。前道光刻機主要用于芯片光刻，面對的客戶是中芯國際，臺積電這些芯片代工廠。而后道光刻機主要用于芯片封裝、屏幕封裝等，面對的客戶是長電科技這種。

我國光刻機研發(fā)布局其實很早，上海微電子在2008年就研發(fā)成功了90nm前道光刻機系統(tǒng) ，但是核心元器件還需要依靠國外供應商。然而國外供應廠商默契的對核心部件實行禁運，導致國產前道光刻機難以進一步發(fā)展，無法達到商用價值。而上海微電子不得不轉向后道光刻機的研發(fā)，并在針對國內市場，推出了一系列設備。

其中包括自己生產研發(fā)的TFT曝光設備SSB200系列光刻機、LCD Cell段高端屏制造設備、長短寸測量設備、LED/MEMS/功率器件、激光退火設備等等�，F(xiàn)在上海微電子生產的設備已經在國內相關產業(yè)占據(jù)了80%的市場份額，而且國家面對國外的封鎖也組裝了相關的研究部門進行了聯(lián)合攻關。并且取得了不錯的成績。

值得欣慰的是2019年5月初，首臺來自荷蘭ASML公司的EUV光刻機目前已經安全抵達中芯國際。中芯國際透露，通過所有科研人員的努力研發(fā)，目前12nm的芯片已經進入客戶驗視階段，如果不出意外的話，很快便有可能將這款12nm的芯片量產。如果良品率、產品質量等各方面都滿足，那么很快便可以實現(xiàn)商用。

目前世界上能夠制造頂級光刻機的公司屈指可數(shù)，荷蘭ASML便是其中之一，而且這家公司目前是世界上最頂尖的光刻機公司，幾乎壟斷了光刻機行業(yè)。不管是臺積電還是英特爾，它們的芯片都是通過ASML光刻機制作而成，但這種光刻機不僅售價高昂，還需要排隊購買。

如果12nm的芯片成功量產，那也就意味著我們離擺脫依賴國外進口芯片的局面更進一步。與此同時我們也避免了被西方國家扼住脖子的風險，所以這款芯片和光刻機對于我們的意義是非同尋常的。特別在目前的國際大環(huán)境里，不僅是給所有堅持自主研發(fā)企業(yè)的興奮劑，也是對外展示我們研發(fā)力量的鎮(zhèn)山虎。

自主技術研發(fā)的。你用國外已有的技術來解釋自然是解釋的一地雞毛。而自主研發(fā)的又不能全盤說出。大家就知道一個中國芯片已經小康了可以啦。

中芯國際集成電路制造有限公司（“中芯國際”，港交所股份代號：981，美國場外市場交易代碼：SMICY）及其控股子公司是世界領先的集成電路晶圓代工企業(yè)之一，也是中國內地技術最先進、配套最完善、規(guī)模最大、跨國經營的集成電路制造企業(yè)集團，提供0.35微米到14納米不同技術節(jié)點的晶圓代工與技術服務。中芯國際總部位于上海，擁有全球化的制造和服務基地。在上海建有一座300mm晶圓廠和一座200mm晶圓廠，以及一座控股的300mm先進制程晶圓廠在建設中；在北京建有一座300mm晶圓廠和一座控股的300mm先進制程晶圓廠；在天津和深圳各建有一座200mm晶圓廠；在江陰有一座控股的300mm凸塊加工合資廠。

目前中芯的先進邏輯技術，可應用的工藝是14nm和28nm。

是1nm,這個核心機密不要告訴別人。

中芯國際有國產7nm刻蝕機，但是光刻機就呵呵了！你的問題是把光刻機與刻蝕機混為一談了，這兩種機器都需要，卻是不同的兩種機器。

中芯國際明確表示能夠提供0.35微米到14納米不同技術節(jié)點的晶圓代工與技術服務。

中芯國際的生產肯定與光刻機掛鉤，但是這方面的最先進的光刻機是從國外進口的光刻機。

光刻機作為芯片制造的核心設備，制造技術一直掌控在荷蘭巨頭ASML手中，ASML壟斷了7納米以下的光刻機，而EUV（極紫外光）光刻機正是7納米以下工藝必須使用的設備。

然而中芯國際2018年初全款交付1.2億美元向ASML買的光刻機，至今仍未到貨。

未來想突破7nm技術看起來還得幾年。

14nm良率百分之九十幾。太湖之光超算用的神威芯片是28nm，由中芯國際流片。