7納米芯片指用7納米工藝制程生產(chǎn)的芯片

最近華為被美國制裁的事在網(wǎng)上炒得沸沸揚(yáng)揚(yáng)，大家在茶余飯后都在談?wù)?納米（nm)、5納米（nm)芯片的事，大家知道芯片中的納米（nm）指的是什么呢？其實(shí)指的是生產(chǎn)芯片的工藝制程哦。

納米是長度的單位，可以用來量度物體的大小，1毫米（mm）大家知道吧？1000微米（um）等于1毫米（mm），而1000納米（nm)等于1微米（um），這樣大家就對(duì)納米的大小有一個(gè)概念了吧。芯片中提到的納米(nm)很有意思，有興趣的可以往下看哦，別忘記點(diǎn)贊就行了！

納米是芯片哪個(gè)位置的尺寸？

芯片又叫集成電路，在1957由有一位名字叫基爾比的美國工程師發(fā)明的，在集成電路發(fā)明之前，電子產(chǎn)品都是用電子管或者晶體管來設(shè)計(jì)的，基爾比把晶體管、電阻和電容等集成在一塊很小的平板上，然后用很細(xì)的線把它們焊接起來實(shí)現(xiàn)一個(gè)特別的功能，這就是最原始的芯片（集成電路）了。

所以（芯片）集成電路其實(shí)就是集成了大量晶體管的電路，現(xiàn)在的（芯片）集成電路已經(jīng)非常先進(jìn)，我們可以直接在硅片（晶片）上做出超大規(guī)模數(shù)量的晶體管，實(shí)現(xiàn)超級(jí)強(qiáng)大的運(yùn)算能力。

其實(shí)7納米或者20納米指的是單個(gè)晶休管的柵極的長度。晶體管工作時(shí)，電流從漏極(Drain)流向源極(Source)，但要受柵極(Gate)這道閘門控制，所謂的7納米(nm)就是這道閘門寬度了。

大家都知道在計(jì)算機(jī)的數(shù)字世界里只有“0”和“1”，所有指令、數(shù)據(jù)都是由“0”和“1”組合組成，晶體管的打開和關(guān)閉正好對(duì)應(yīng)著“0”和“1”兩種狀態(tài)。

芯片為什么要做得那么�。�

大家都說7nm芯片比14nm芯片先進(jìn)，5nm芯片比7nm芯片先進(jìn)，這是什么情況，做得那么小不難嗎？

尺寸越小，當(dāng)然越難了。但不做小不行啊。要提高芯片的性能，我們需要給芯片的CPU加入更多的核心，而越先進(jìn)的核心集成的晶體管數(shù)量也會(huì)越多。

據(jù)說華為麒麟990 5G SoC芯片集成了超過100億個(gè)晶體管。這么多的晶體管，不做小點(diǎn)能放得下嗎？雖然芯片中的晶體管工作需要的電流極小，但那么多數(shù)量的晶體管加起來就有點(diǎn)多了哦。晶體管的尺寸縮小后，它的導(dǎo)通電壓就可以減少，需要的電流也會(huì)減少，這樣就可以降低芯片的功耗了。

目前計(jì)算機(jī)上用的CPU一般都用14nm生產(chǎn)，尺寸也會(huì)相對(duì)較大一些。但手機(jī)用的SoC就不一樣了，因?yàn)槭謾C(jī)尺寸本來就相對(duì)較少，電池容量也相對(duì)有限，所以對(duì)功耗有著苛刻的要求，如果又想提升性能又想降低功耗，只能把芯片盡量往小去做了。

做小還有一個(gè)好處是降低成本，尺寸越小，同一塊晶圓就可以生產(chǎn)出越多的芯片了。

目前華為、蘋果、高通的等最先進(jìn)的手機(jī)SoC都用上了7納米的工藝，在2020年下半年估計(jì)就會(huì)出現(xiàn)5nm的芯片了。

但把芯片做小，難度也會(huì)相應(yīng)提高，所以性能相對(duì)差一點(diǎn)的芯片我們就可以用14nm、20nm或者28nm工藝去生產(chǎn)了。

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舉一個(gè)例子：在一張A4紙上，你用毛筆在上面寫字和用簽字筆在上面寫字，誰寫的多？20和7就是毛筆和簽字筆的關(guān)系，是不是用簽字筆寫字寫的多？而且我寫完一篇文章，還不需要這么大的紙張。比喻應(yīng)該比較形象吧！

7納米芯片是指通過7納米工藝生產(chǎn)的芯片

最近，華為被美國制裁的問題成為互聯(lián)網(wǎng)上的熱門話題。晚飯后，每個(gè)人都在談?wù)?納米和5納米芯片。你知道納米指的是什么嗎？實(shí)際上，它指的是生產(chǎn)芯片的工藝過程。

納米是長度的單位。它可以用來測(cè)量量度物體的大小。每個(gè)人都知道它是1毫米嗎？1000微米等于1毫米，1000納米等于1微米，所以每個(gè)人對(duì)納米的大小都有一個(gè)概念。芯片中提到的納米非常有趣。感興趣的人可以往下看。別忘了贊美它！

納米芯片的尺寸在哪個(gè)位置？

芯片也被稱為集成電路。它是由一位名叫基爾比的美國工程師在1957年發(fā)明的。在集成電路發(fā)明之前，電子產(chǎn)品是用電子管或晶體管設(shè)計(jì)的�；鶢柋葘⒕�體管、電阻和電容集成在一個(gè)小平板上，然后用非常細(xì)的導(dǎo)線焊接起來，實(shí)現(xiàn)一種特殊的功能。這是最原始的芯片(集成電路)。

所以(芯片)集成電路實(shí)際上是集成了大量晶體管的電路�，F(xiàn)在(芯片)集成電路非常先進(jìn)。我們可以直接在硅片(芯片)上制作超大數(shù)量的晶體管，以實(shí)現(xiàn)超強(qiáng)的計(jì)算能力。

事實(shí)上，7納米或20納米是指單晶管的網(wǎng)格長度。當(dāng)晶體管工作時(shí)，電流從漏極流向源極，但受柵極控制。所謂的7納米是柵極寬度。

每個(gè)人都知道在計(jì)算機(jī)的數(shù)字世界里只有“0”和“1”。所有指令和數(shù)據(jù)由“0”和“1”組合組成。晶體管的開和關(guān)對(duì)應(yīng)于“0”和“1”狀態(tài)。

為什么芯片這么��？

每個(gè)人都說7納米芯片比14納米芯片更先進(jìn)，5納米芯片比7納米芯片更先進(jìn)。情況如何，讓它變得這么小不是很難嗎？

當(dāng)然，尺寸越小，越難。但是不變小是沒有好處的。為了提高芯片的性能，我們需要給芯片的中央處理器增加更多的內(nèi)核，內(nèi)核越先進(jìn)，集成的晶體管就越多。

據(jù)說華為麒麟990 5G SoC芯片集成了100多億個(gè)晶體管。有這么多晶體管，它們能在不變小的情況下安裝嗎？盡管芯片中的晶體管只需要很小的電流就能工作，但晶體管的數(shù)量加起來還是有點(diǎn)多。晶體管尺寸減小后，其導(dǎo)通電壓可以降低，所需電流也將降低，從而降低芯片功耗。

目前，計(jì)算機(jī)中使用的中央處理器一般是在14納米生產(chǎn)的，其體積會(huì)相對(duì)較大。然而，手機(jī)的SoC是不同的，因?yàn)槭謾C(jī)的體積相對(duì)較小，電池容量相對(duì)有限，所以對(duì)功耗有嚴(yán)格的要求。如果您想提高性能和降低功耗，您只能將芯片做得盡可能小。

小的另一個(gè)好處是降低成本。尺寸越小，同一晶片可以生產(chǎn)的芯片越多。

目前，華為，蘋果和高通最先進(jìn)的手機(jī)芯片都采用7納米工藝，預(yù)計(jì)2020年下半年將出現(xiàn)5納米芯片。

然而，如果芯片做得很小，難度也會(huì)相應(yīng)增加，所以我們可以用14納米、20納米或28納米的工藝來生產(chǎn)性能相對(duì)較差的芯片。

芯片就是在一塊非常小的硅片上集成了大量的晶體管以及電路，20納米和7納米是指的制造芯片的工藝，也就是說在硅片上晶體管的寬度是20納米和7納米，這樣一個(gè)小小的硅片上就可以集成上億個(gè)晶體管，實(shí)現(xiàn)強(qiáng)大的邏輯運(yùn)算功能。

同樣大小的芯片上集成的晶體管越多，自然也就能夠做更加復(fù)雜的運(yùn)算，實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)大的功能。這個(gè)也如同我們寫字一樣，我們?nèi)绻�用毛筆寫字，寫出來的字自然是非常粗的，那樣一張紙上寫不了幾個(gè)字。而用普通的鋼筆寫的話，寫的字自然比較細(xì)，一張紙上可以密密麻麻的寫很多字。如果不是為了練書法的話，一般人寫文書是不會(huì)去用毛筆寫的。

要知道沒有集成電路的時(shí)候，最早建立的計(jì)算機(jī)甚至有幾個(gè)房子那么大，而且能夠運(yùn)算的功能非常的有限，當(dāng)時(shí)一秒鐘也就只行幾千次或者是上萬次的計(jì)算。因?yàn)楫?dāng)時(shí)晶體管比較大，你要弄出數(shù)百萬個(gè)晶體管的話，那樣一個(gè)房間都未必能裝得下。而現(xiàn)在一個(gè)小小的芯片上能集成上億個(gè)晶體管，功能自然不可同日而語，現(xiàn)在一個(gè)小小的PC機(jī)的CPU就有上億個(gè)晶體管，每秒鐘的運(yùn)算能力達(dá)到幾十億次甚至上百億次，而大規(guī)模計(jì)算機(jī)的計(jì)算能力更是上萬億次。

所以集成電路的制造工藝就顯得非常重要了，只有有了尖端的制造工藝才能夠制造出不落后于時(shí)代的芯片出來�，F(xiàn)在華為的麒麟CPU采用的是臺(tái)積電7納米和5納米的工藝，性能自然相當(dāng)?shù)南冗M(jìn)，再加上華為海思的優(yōu)秀設(shè)計(jì)，甚至遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了高通的同類芯片。一旦臺(tái)積電因?yàn)槊绹�的禁令不再給華為代工芯片，華為自然就無法造出如此先進(jìn)的芯片。中芯國際目前最先進(jìn)的水平是14納米，這樣造出來的芯片性能就要差上不少。

雖然中芯國際不久就有七納米的工藝，但這也是中芯國際的極限，再往上就不行了，除非能夠得到ASML的極紫外線關(guān)刻機(jī)。而高通的芯片制造工藝與時(shí)俱進(jìn)，還在進(jìn)一步上升之中，所以這對(duì)華為相當(dāng)?shù)牟焕��?/p>

    在描述手機(jī)芯片性能時(shí)，經(jīng)常聽說22nm、14nm、7nm這些數(shù)值，制程工藝是手機(jī)性能的重要指標(biāo)之一。每一次制程工藝的提升，會(huì)帶來性能的提升，以及功耗的降低，那么這個(gè)幾納米是怎么計(jì)算的呢？下文具體說一說。

    晶體管

    首先從芯片的單位晶體管說起，華為的麒麟990處理器，采用了臺(tái)積電的7nm EUV制程工藝，集成了100億個(gè)晶體管。單個(gè)晶體管的結(jié)構(gòu)大致如下圖所示▼。

    在單個(gè)晶體管中，電流從Source（源極）流向了Drain（漏極），Gate（柵極）相當(dāng)于閘門，控制源極和漏極的通斷，通電1斷電0，這樣就實(shí)現(xiàn)了計(jì)算機(jī)的運(yùn)算。Gate（柵極）的最小寬度，也稱為柵長，就是所謂的xx nm工藝中的數(shù)值。通常情況下，柵極的寬度決定了電流通過時(shí)的損耗，表現(xiàn)出來就是手機(jī)的發(fā)熱和功耗。

    對(duì)于臺(tái)積電、三星、intel等芯片制造商來說，需要不斷提升技術(shù)，力求將柵極寬度做多的越窄越好，單位面積不僅可以容納更多的晶體管，也更容易控制功耗。不過隨著柵極寬度的降低，也會(huì)出現(xiàn)“電流泄漏”等問題，因此需要采用新的工藝，解決這些問題。

    原子的大小是0.1nm，10nm的工藝制程，要保證一條線上只有100個(gè)原子，一個(gè)原子出現(xiàn)問題，整個(gè)產(chǎn)品就報(bào)廢了，產(chǎn)品的良品率就會(huì)大打折扣。隨著finFET能力已經(jīng)探底，未來可能采用納米片F(xiàn)ET打造下一代晶體管，有望實(shí)現(xiàn)3nm、2nm，甚至1nm。

    光刻機(jī)：沙子變芯片

    芯片的制造離不開一臺(tái)重要的設(shè)備：光刻機(jī)，可以將沙子變成芯片。

    簡(jiǎn)單來說，首先從沙子中提取到硅元素，即單晶硅，將單晶硅制作成硅錠，切割成1mm厚的圓片，也就說所謂的晶圓，如下圖所示▼。

    接下來，光刻機(jī)就要上場(chǎng)了，在硅圓片上涂抹光刻膠，使用光刻機(jī)對(duì)硅片進(jìn)行照射，將芯片的圖紙印到硅片上，這一步最復(fù)雜，成本也最高。目前，世界上生產(chǎn)光刻機(jī)的廠商只有寥寥幾家，荷蘭的ASML、日本尼康和佳能，我國的上海微電子，其中能夠生產(chǎn)EUV光刻機(jī)的只有荷蘭的ASML。

    圖紙刻在硅片上之后，還需要經(jīng)過蝕刻、離子注入、封裝等環(huán)節(jié)，最終形成了手機(jī)處理器、電腦CPU、GPU、閃存等芯片。

如果覺得對(duì)你有幫助，可以多多點(diǎn)贊哦，也可以隨手點(diǎn)個(gè)關(guān)注哦，謝謝。

晶體管是芯片的最基本單元，它的響應(yīng)速度快，準(zhǔn)確性高，被用于各種各種的數(shù)字和模擬功能，包括放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和振蕩器等等。幾億或者更多的晶體管集成電路可以封裝在一個(gè)非常小得區(qū)域內(nèi)，這就是芯片。

英特爾10nm芯片，每平方毫米有1.008億個(gè)晶體管。1納米相當(dāng)于4倍原子大小，是一根頭發(fā)絲直徑的10萬分之一，比單個(gè)細(xì)菌（5微米）長度還要小得多。

制造芯片和蓋房子是差不多的，先由硅晶圓作為地基，往上一層層的堆疊電路和晶體管。

芯片制造常用柵極長度來描述芯片的工藝制程，nm數(shù)越小代表越先進(jìn)。

我們常說的14nm、12nm、10mm、7nm的芯片，nm就是指芯片的工藝制程，也就是芯片里面的晶體管的柵極長度。

通過電子顯微鏡觀察、對(duì)比32nm和22nm平面晶體管。

我們可以發(fā)現(xiàn)，nm數(shù)越小晶體管的柵極長度就越小，晶體管也就越小，單位面積內(nèi)所能容納的晶體管的數(shù)量也就越多。

7nm比20nm的芯片工藝制程要先進(jìn)，它能把晶體管的柵極長度做得更小，其結(jié)果就是晶體管的規(guī)模增大、頻率提高、功耗下降。

根據(jù)登德爾縮放比例定律：晶體管面積的縮小，使得其所消耗的電壓以及電流會(huì)以差不多相同的比例縮小。

• 規(guī)模包括晶體管密度、柵極間距、最小金屬間距等。
• 頻率和功耗對(duì)應(yīng)指標(biāo)主要包括柵極長度、鰭片高度等。

晶體管柵極長度縮�。ɑ驕系篱L度縮�。�，那么源極與漏極之間距離就會(huì)縮小，電子僅需流動(dòng)較短的距離就能夠運(yùn)行，從而可以增加晶體管開關(guān)切換頻率，提升芯片工作頻率，也可以減低內(nèi)阻，降低導(dǎo)通電壓，在相同工作頻率下電壓下降帶來功耗降低。

晶體管變小后，可以縮小芯片的面積，提高芯片的良品率并降低成本，一塊晶圓可以生產(chǎn)更多的芯片。晶體管密度提高，可以擴(kuò)大芯片的晶體管規(guī)模，增加并行工作的單元或核心。

工藝提升對(duì)于芯片性能提升影響明顯

工藝提升帶來晶體管規(guī)模的提升，芯片可以支持更加復(fù)雜的微架構(gòu)或核心，帶來架構(gòu)的提升。同時(shí)，工藝的提升得芯片主頻得以提升。

歷年來先進(jìn)制程都是先應(yīng)用于旗艦級(jí)智能手機(jī)、個(gè)人電腦、服務(wù)器等。旗艦手機(jī)芯片一般走在制程前沿，最先進(jìn)制程推出后即開始采用，新制程出現(xiàn)后向下轉(zhuǎn)移，所以每當(dāng)旗艦手機(jī)發(fā)布的時(shí)候除了手機(jī)的性能有所提升、功耗降低外，還有很多的黑科技，能實(shí)現(xiàn)更多的功能。

很多人都進(jìn)入了一個(gè)誤區(qū)，認(rèn)為較低的工藝制程并不能實(shí)現(xiàn)較先進(jìn)工藝制程的功能。

這個(gè)觀念是錯(cuò)誤的，實(shí)際的現(xiàn)實(shí)生活中，很多設(shè)備所需要的芯片并不要求很先進(jìn)的工藝制程，芯片的本質(zhì)還是大規(guī)模的集成電路小型化，而先進(jìn)的工藝制程可以將晶體管、芯片做得更小。

舉個(gè)例子：

同一個(gè)芯片的設(shè)計(jì)圖采用不同的工藝制程來制造，最終制造出來的芯片實(shí)現(xiàn)的功能本質(zhì)上是沒有差別的。至于先進(jìn)制程帶來的優(yōu)點(diǎn)上面已經(jīng)介紹了，就不做重復(fù)。

隨著芯片的工藝制程無限接近原子的大小，量子隧穿效應(yīng)就會(huì)變得極為容易，會(huì)產(chǎn)生較大的電流泄漏問題。登德爾縮放定律的失效以及隨之而來的散熱問題，單純的通過減小柵極長度，提高芯片時(shí)鐘頻率變得越來越難，廠商也逐漸轉(zhuǎn)而向低頻多核架構(gòu)的研究。 未來也許會(huì)有更加先進(jìn)的芯片制造工藝出現(xiàn)。

以上個(gè)人淺見，歡迎批評(píng)指正。

認(rèn)同我的看法，請(qǐng)點(diǎn)個(gè)贊再走，感謝！

喜歡我的，請(qǐng)關(guān)注我，再次感謝！

舉個(gè)例子吧；20納米就好比你用毛筆寫字，7納米就好比你用碳素筆寫字，一個(gè)耗材多，浪費(fèi)，一個(gè)節(jié)省材料，儲(chǔ)量大。

不管是20納米還是7納米芯片，都指的是制造工藝，一樣的芯片，用20納米工藝做，要比7納米大3倍多，7納米工藝要求制造設(shè)備精度更高，其實(shí)最大的區(qū)別在于整個(gè)上下游產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展。

20納米是夕陽行業(yè)，7納米是發(fā)展期，未來是5納米。

再舉個(gè)例子吧，40年前蓋房子用的是土坯，耗時(shí)耗力笨重不結(jié)實(shí)，平房都蓋不高，蓋不了高樓大廈，更不要說百米摩天了。而摩天大樓要用的是高精度的鋼結(jié)構(gòu)模塊，細(xì)節(jié)末端全是紋路焊接。20納米就好比土坯，7納米就好比螺絲紋路。

總之吧，20納米就是二鍋頭，7納米就是五糧液，5納米就是茅臺(tái)。

想一想吧，喝這3種酒的，做這三種酒的，交易這三種酒的，這些人有什么不同。

中國制造2025靠的就是這些7納米和5納米技術(shù)設(shè)備，他是國家騰飛的推進(jìn)器。

我們現(xiàn)在用的大多是14納米技術(shù)，手機(jī)大部分是7納米技術(shù)（高端手機(jī)），民用產(chǎn)品很多還是20納米技術(shù)，最明顯的區(qū)別技術(shù)設(shè)備大，耗電多，發(fā)熱厲害，故障率高。

總之，20納米和7納米就是自行車與跑車的區(qū)別，自己去想吧。

大實(shí)話：這里的納米主要代表的是光刻技術(shù)，而不是指芯片的大小。

因?yàn)樽罱�美國針�?duì)華為芯片供應(yīng)的事情又進(jìn)行了更加嚴(yán)格的阻攔，所以不少專業(yè)領(lǐng)域的名詞就出現(xiàn)在普通人的討論話題中。

當(dāng)然，其中最被廣泛討論的就是“光刻機(jī)”與“7納米芯片”了，所以，這里我們就來簡(jiǎn)單聊這幾納米的芯片到底指的是什么。

現(xiàn)在來說，幾乎所有的主流手機(jī)使用的都是7納米的芯片，大家可以把這個(gè)芯片簡(jiǎn)單地理解為那些手機(jī)廠商宣傳時(shí)說的“處理器”，這就好比是智能手機(jī)的大腦。

而要想讓這個(gè)“大腦”實(shí)現(xiàn)更多的功能，那么就得在這個(gè)芯片上進(jìn)行功能添加，大家可以感覺一下這個(gè)芯片的放大圖片，上面密密麻麻的就是我們所使用的功能。

不過，要想把智能手機(jī)做得功能足夠多，體積還得足夠小，那么在芯片上添加功能的時(shí)候，就需要用到更加精細(xì)的光刻技術(shù)。

大家可以簡(jiǎn)單地把“光”看作是一個(gè)圓柱形狀，這這里的“納米”就是這個(gè)圓柱的直徑。而在芯片上添加功能的時(shí)候，就是用這個(gè)“光柱”在芯片上進(jìn)行刻畫。

所以，在芯片的表面積固定的情況下，那當(dāng)然是這個(gè)光柱越細(xì)，然后就可以在上邊刻畫的功能就越多。

這就好比是讓你在一張紙上寫一篇作文，20納米就好比是讓你用馬克筆寫，7納米就好比是是讓你用圓珠筆寫，那指定是用圓珠筆表達(dá)的內(nèi)容更多一些嘛，其實(shí)就是類似于這個(gè)道理。

那么，道理大家都懂了，這個(gè)技術(shù)的難點(diǎn)在哪里呢？那就是如何產(chǎn)生這么“細(xì)”的光束，那這就要提到“光刻機(jī)”了。

目前全球唯一能生產(chǎn)7納米光刻機(jī)的就是荷蘭的ASML公司，而我們目前的水平仍舊跟人家有較大的差距，這則是客觀現(xiàn)實(shí)。

大家可能看著20納米和7納米也就是差14納米，這比我們的頭發(fā)絲直徑還要小數(shù)萬倍，但是，用在芯片上來說，這就是3倍的差距，而不是十幾納米的差距了。

當(dāng)然，如果說以后我們找打了其他替代方案，比如說我們不用光刻技術(shù)了，或者說我們趕超上來了，那么我們也就不用再受人家制約了。

不過現(xiàn)在來說，這事對(duì)我們影響確實(shí)還比較大，所以，最后還是希望大家多多支持國產(chǎn)吧。

有理有據(jù)，實(shí)話實(shí)說，關(guān)注：大實(shí)話。讓我們一起用理性的視角看世界。

感謝您的閱讀！

【20nm工藝和7nm工藝到底有什么區(qū)別呢？為何我們那么要提升芯片的工藝制程】

你必須要知道的是芯片的工藝制程非常的重要，它決定了芯片的先進(jìn)度。所謂的XXnm工藝制程是什么意思呢？我們必須要知道，芯片的工藝制程指的是晶體管柵極的寬度，也被稱為柵長。

其實(shí)，芯片中的柵長越短，則可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶體管；而我們芯片如何控制柵長長度，這是現(xiàn)在芯片必須要考慮的問題。

實(shí)際上，20nm工藝和7nm工藝制程確實(shí)有區(qū)別的。這里的區(qū)別在哪里呢？20nm工藝在晶體管數(shù)量，功耗等方面確實(shí)和7nm工藝的差別還是有一定區(qū)別的。

我們確實(shí)能夠感覺到，7nm工藝的優(yōu)勢(shì)其實(shí)還是比較突出的，這種突出主要是技術(shù)方面的突出，也是在于在相同體積下，能夠放置的晶體管數(shù)量越多。

并且，因?yàn)樾酒�的柵長更短，因此需要消耗的能力越小，芯片的功耗就越低，這種情況下，7nm遠(yuǎn)比20nm的功耗更低一些。

形象解說：就是同樣一塊面積容納的電路和晶體管不一樣多，七納米比20納米多。